偏光仪
-
- 偏光仪
- KAGAKU
- FE-5000S
- 日本
- 现货
产品详细介绍
高精度な薄膜解析が可能な分光エリプソメトリーに加え、測定角度の自動可変機構を実装させることにより、あらゆる種類の薄膜にも対応しております。従来の回転検光子法に加え、位相差版の自動脱着機構を設けることにより、測定精度を向上させました。
製品情報
特 長
- 紫外可視（250～800nm）の波長領域でのエリプソパラメータ測定が可能
- ナノメータオーダーの多層薄膜の膜厚解析が可能
- 400ch以上のマルチチャンネル分光法によるエリプソスペクトルの迅速測定が可能
- 反射角度可変測定により、薄膜の詳細な解析に対応
- 光学定数のデータベース化およびレシピ登録機能の追加により操作性がアップ
- 層膜フィッティング解析による光学定数測定による膜厚・膜質管理が可能
測定項目
- エリプソパラメータ（tanψ、cosΔ）測定
- 光学定数 ( n ： 屈折率 , k ： 消衰係数 ) 解析
- 膜厚解析
用 途
- 半導体ウェハー
ゲート酸化薄膜，窒化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe， BPSG，TiN
レジストの光学定数(波長分散) - 化合物半導体
AlxGa(1-x)As 多層膜，アモルファスシリコン - FPD
配向膜
プラズマディスプレイ用ITO，MgOなど - 各種新素材
DLC(Diamond Like Carbon)，超伝導用薄膜，磁気ヘッド薄膜 - 光学薄膜
TiO2，SiO2，多層膜，反射防止膜，反射膜 - リソグラフィー分野
g線(436nm)，h線(405nm)，i線(365nm)，KrF(248nm)などの各波長におけるn，k評価
仕 様
仕 様
| 型式 | FE-5000S | FE-5000 |
| 測定サンプル | 反射測定サンプル | |
| サンプルサイズ | 100x100mm | 200x200mm |
| 測定方式 | 回転検光子法*1 | |
| 測定膜厚範囲(nd) | 0.1nm～ | |
| 入射（反射）角度範囲 | 45～90° | 45～90° |
| 入射（反射）角度駆動方式 | 自動サインバー駆動方式 | |
| 入射スポット径*2 | 約φ2.0 | 約φ1.2sup*3 |
| tanψ測定正確さ | ±0.01以下 | |
| cosΔ測定正確さ | ±0.01以下 | |
| 膜厚の繰り返し再現性 | 0.01%以下*4 | |
| 測定波長範囲*5 | 300～800nm | 250～800nm |
| 分光検出器 | ポリクロメータ（PDA、CCD） | |
| 測定用光源 | 高安定キセノンランプ*6 | |
| ステージ駆動方式 | 手動 | 手動/自動 |
| ローダ対応 | 不可 | 可 |
| 寸法、重量 | 650（W)×400（D)×560（H）mm 約50kg |
1300（W)×900（D)×1750（H）mm 約350kg*7 |
| ソフトウェア | ||
| 解析 | 最小二乗薄膜解析（屈折率モデル関数、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など） 理論式解析（バルク表面nk解析、角度依存同時解析） |
|
*1 偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板着脱可能です。
*2 短軸・角度により異なります。
*3 微小スポット対応（オプション）
*4 VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場合の値です。
*5 この波長範囲内で選択可能です。
*6 測定波長により光源が異なります。
*7 自動ステージ選択時の値です。