X射线结晶方位测量装置
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- X射线结晶方位测量装置
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产品详细介绍
サファイア、Si、SiC、GaAs、ＧａＮ、InP、水晶、ダイアモンドなどの単結晶材料の結晶方位測定に
インゴットの切出し方位の設定に オリフラ・ノッチ基準面の同定に
ウエハ―の主面方位の測定に カット面の検査に 結晶性の評価、加工面の評価に 精密ロッキングカーブ測定に
特長
1. 多種の結晶、結晶面の測定に対応します。
- 水平ゴニオメータを採用、試料台は独立に置かれますから結晶試料に合わせた試料台を交換して測定できます。
- 結晶種別、測定結晶面(hkl)、オフ角の設定など、予め登録した条件で自動的に測定します。
2. 一回の測定（ω走査）で、方位角検査を行う短時間法精密測定は、2又は4方位測定を設定します。
- 短時間１回測定ではウエハ―の偏差角を、１分以内で検査します。
- 測定角度再現精度は 0.1°程度です。
- 精密測定では、測定角度再現精度は ±0.01°程度です。
- 試料面内回転（Φ） 0°・180°又は 0°・90°・180°・270°設定
- 測定完了時に、格子面方位角の算出・表示します。
測定例 Si単結晶(111)面の傾斜角 Φ＝０°方向 0.238°、Φ＝90°方向 1.935°
試料結晶の形状、測定目的に合わせた試料台を用意しています。
試料サイズ Φ4 Φ6 Φ8 長さ（インゴット）300mmに対応します。
Φ10 Φ12 インチも対応します。
| Ｘ線回折装置仕様 | ||
| Ｘ線発生部 | 微小焦点X線管球Cu | 連続定格 40W 40KV 1mA (1点プリセット式) Ｘ線管 空冷式 Cu |
| Ｘ線管 | 最大出力50kV 1mA | 最大出力50kV 1mA 0.1mm×1.2mm(50W) など選択 |
| ゴニオメーター 試料水平設置型 |
走査角度範囲 | 2θ -5～１60°（２θ） θs、θd －5°～120° |
| 最小ステップ角 | 0.001°（θ） 0.002°（２θ） 0.001°（ω） | |
| 走査モード | θs/θd連動（2θ/θスキャン、ωスキャン） θs、θd単独（2θスキャン） |
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| 出射コリメータ* | Φ0.5mm Φ1.0mm 散乱カバー Φ20ｍｍ | |
| 検出器/計数計 | シンチレーションカウンタ | ＨＶ／ＰＨＡ |
| 測定及びデータ処理 | パソコン | OS Windows ディスプレイ17インチ プリンター（オプション） |
| 制御 駆動ポジショニング | θ、2θ、θ/2θ、ωスキャンニング | |
| 基本データ処理 | バックグラウンド除去、スムージング、Kα１・２分離、ピークサーチ、ピーク分離、半価幅計算、ピーク位置決定、結晶主面方位測定算出 | |
| 装置外形寸法 | 700mm(幅）×600～700mm(奥行）×640～900mm（高さ） 試料台により筺体カバー寸法は変更します。 |
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| 設置条件 | 電源 単相100Ｖ 1ｋＷ 接地 100Ω以下 | |
届出：本装置の使用には電離放射線障害防止規則、労働安全衛生規則に基づいて、設置の届出が必要です。
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