原子层沉积（ALD）装置
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产品详细介绍
J.A.Woollam社は、Oxford Instruments社と協力し、最新の原子層堆積（ALD）装置を提供いたしております。
近年、特に最新の半導体ICにおける
トランジスタのゲート酸化膜の作製について、ALDによる薄膜の堆積の重要性は高まっています。ALDでは基板表面を異なった種類の気相反応物質（前躯体）に交互に曝露させ、自己制御式の反応を実現し、原子層単体での成長制御を行います。
まず1つめの気相前躯体Aをチャンバーに導入し、基板表面に膜を生成します。続いてこのAをチャンバーから排出し、
２つめの前躯体Bを導入します。BはAの膜が生成された表面で反応し、1つの層が生成されます。これが単層のALDのサイクルです。前躯体の物質や各種条件を適切に選択することで、良質な
酸化膜や窒化膜、金属膜などを生成することができます。
| エリプソメトリー測定は単層の厚みにも感度がありますので、ALDでの1サイクル、すなわち原子層単位の成長の様子を観察することができます。また、ALDに対するin-situエリプソメトリーには明らかな利点が あります。エリプソメトリー測定によって得られた膜厚は、膜の成長がALDサイクル数と線型関係にあることの証明になります。 また、ALDにおける膜のつき始めは、様々な基板上での核生成の様子がエリプソメトリー測定を通じて 明らかになる可能性があります。 前躯体の飽和曲線をプロットするのにもウェハを逐一チャンバーから取り出すことなく可能です。 |
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