理学是Osmic®多层涂层和极紫外线光刻技术的独家供应商。基于超过25年向用于大量生产工业和科学开发和供应X射线多层膜和光学器件的经验，我们的产品通过优化的应用和资源/工具特点提供最高的仪器性能。
13.5nm（EUV）的普通入射光学
EUVL是采用大量生产内存和逻辑集成电路的领先技术。理学生产的为EUVL优化的Mo/Si多层膜和各种设计的保护层可用于收集，用于扫描仪的分划板预先检查（pre-reticle），以及为计量学设定光刻前样品（pre-sample）光束条件和光刻后样品（post-sample）成像。
6.x nm（BEUV）的普通入射光学
虽然EUVL法已被采用，半导体工业正在调查新一代工具。超紫外线光刻（BEUV）是基于当下发展的新X射线源和相关的多层光学系统。我们提供BEUV的最高性能。